天合光能申请氧化硅薄膜制备专利，成本低、时间短且安全性高

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金融界2023年11月30日消息，利成据国家知识产权局公告，安全天合光能股份有限公司申请一项名为“一种氧化硅薄膜制备方法”，性高公开号CN117133631A，天合申请日期为2023年10月。光能硅薄

专利摘要显示，申请时间本发明涉及一种氧化硅薄膜制备方法，氧化该氧化硅薄膜制备方法包括如下步骤：(1)将硅片放入密封微波反应腔体中；(2)向所述密封微波反应腔体中通入纯氧气、膜制富氧空气或空气，备专本低调节所述密封微波反应腔体中的气氛为反应气氛；(3)使所述密封微波反应腔体中进行微波加热，得生长于所述硅片表面的氧化硅薄膜；步骤(3)中所述微波加热的温度为130℃‑350℃。本发明的氧化硅薄膜制备方法，硅片不需要其它加热过程，硅片与氧气在密封的反应腔体中，在微波加热下直接反应制备得到氧化硅薄膜，不需要高真空和使用昂贵设备，过程中不需要通入硅源，因此具有成本低、时间短且安全性高的优点，适合量产化。